تضمنت النسخة الموجهة إلى اليابان من هاتف SAMSUNG Galaxy S III والتي صدرت في عالم 2012 ذاكرة وصول عشوائي RAM بسعة 2 جيجابايت من إصدار DRAM أو Dynamic random acces memory كان أمر مفاجئ ومبهر للغاية، بينما تضمنت النسخة الموجهة إلى الولايات المتحدة الأمريكية ذاكرة RAM من نفس الإصدار ولكن بسعة 1 جيجابايت فقط، وهو الأمر الذي كان شائع في أوساط الهواتف الذكية حينئذٍ. ولكن على غير المتوقع وبعد ستة سنوات بالضبط، نحن الآن بصدد ذاكرة وصول عشوائي RAM بسعة 6 جيجابايت ومن إصدار LPDDR4 بفضل سامسونج.
لم تعلن سامسونج رسمياً عن هذا الأمر بعد، ولكن الجانب الرسمي في هذا الأمر برمته هو المنتدى الذي اقامته سامسونج بالأمس بمدينة شينچِن في جمهورية الصين الشعبية، قام المدون التقني Sammy بتسريب صورة من جناح سامسونج الرسمي بالمنتدى والذي يحمل لوحة دعائية لذاكرة وصول عشوائي بسعة 6 جيجابايت وبتقنية معالجه شريحية تقدر بـ10 نانو متر، وهو الأمر الذي يجعل من الرقاقة مستهلك إقتصادي للطاقة، بحيث أنه لن يستهلك الطاقة بالشكل المتوقع، ولكنه سيكون موفر أيضاً ومستثمر لطاقة الشحن بالهواتف الذكية التي ستتضمن تلك الذاكرة العشوائية.
بالتزامن مع هذا التقرير، تنتشر الآن العديد من التسريبات حول العالم عن هاتف سامسونج جالاكسي نوت 6 المتوقع إصداره بمنتصف أغسطس القادم، وتتضمن تلك التسريبات مناقشة العديد من الجوانب، ولعل أبرزهم هو ذاكرة الوصول العشوائي RAM والذي اجمعت كل التسريبات المنشورة بأنها سوف تكون بسعة 6 جيجابايت، فهل ستدمج تلك الشريحة التي رأيناها بالمنتدى في هاتف نوت 6 القادم ؟! سوف تفصل لنا الشهور القادمة في هذا الأمر.
